Ürün ayrıntıları:
|
Çip boyutu: | 1 mm2 | Paket: | SMD 3535 |
---|---|---|---|
Özellikleri: | Yüksek şeffaf kuvars penceresi, yüksek hassasiyet, düşük karanlık akım | Yanıt dalga boyu: | 290-440 nm |
Vurgulamak: | InGaN tabanlı UV Fotodiyot Sensörü,UV Fotodiyot Sensörü Kürleme,Fotodiyot UV Dedektörü |
Ürün Tanımı:
GS-UVV-3535LCW InGaN tabanlı UV fotodiyot sensörü dedektörü
Özellikleri:
Genel özellikler:
l Indiyum Gallium Nitrür bazlı malzeme
L Fotovoltaik mod çalışması
L SMD 3535 kuvars penceresi olan seramik paket
l Yüksek tepki ve düşük karanlık akım
Uygulamalar: UV LED İzleme, UV radyasyon dozu ölçümü, UV Tüzeleme
Parametreler Sembol Değeri Birim Maksimum derecelendirmeler
Çalışma sıcaklık aralığı Topt -25-85 oC
Depolama sıcaklık aralığı Tsto -40-85 oC
Lehimleme sıcaklığı (3 s) Tsol 260 oC
Ters gerilim Vr-max -10 V
Genel özellikler (25 oC) Çip boyutu A 1 mm2 Karanlık akım (Vr = -1 V) Id <1 nA Sıcaklık katsayısı Tc 0,05 %/ oC Kapasite (0 V ve 1 MHz'de) Cp 60 pF> <1 nA Sıcaklık katsayısı Tc 0.065 %/ oC Kapasitans (0 V ve 1 MHz'de) Cp 1.7 pF>
< 1 nA Sıcaklık katsayısı (@ 265 nm) Tc 0.05 %/ oC Kapasitans (0 V ve 1 MHz'te) Cp 18 p>
Özellikler:
En yüksek tepki boyunun dalga boyu | λ p 390 nm |
En yüksek tepki (385 nm'de) | Rmax 0.289 A/W |
Spektral tepki aralığı (R=0,1×Rmax) | 290-440 nm |
UV-görünür reddetme oranı (Rmax/R450 nm) | - > 10 - |
İlgili kişi: Xu
Tel: 86+13352990255